Infineon
SPB80P06PGATMA1
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| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 80 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 23 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 340 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 115 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.57mm |
| 系列 | SIPMOS |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 10.31mm |
| 寬度 | 9.45mm |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
電話:15624343447
聯系人:楊女士 (女士)
QQ:
郵箱:yangq@buyelec.net
地址:深圳市龍華區龍華街道和平路與清泉路交匯處幸福城商務廣場1001房
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