2A、600V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
描述
SVD2N60M/MJ/F/T/D N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的S-RinTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn)
? 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開(kāi)關(guān)速度快
? 提升了dv/dt 能力

極限參數(shù)(除非特殊說(shuō)明，TC=25°C)
參數(shù)范圍
參 數(shù) 名 稱(chēng)
符號(hào)
SVD2N60M/D
SVD2N60MJ
SVD2N60T
SVD2N60F
單位
漏源電壓
VDS
600
V
柵源電壓
VGS
±30
V
TC=25°C
2.0
漏極電流
TC=100°C
ID
1.3
A
漏極沖擊電流
IDM
8.0
A
34
35
44
23
W
耗散功率(TC=25°C)
- 大于25°C每攝氏度減少
PD
0.27
0.28
0.35
0.18
W/°C
單脈沖雪崩能量(注 1)
EAS
118
mJ
工作結(jié)溫范圍
TJ
-55～+150
°C
貯存溫度范圍
Tstg
-55～+150
°C
熱阻特性
參數(shù)范圍
參 數(shù) 名 稱(chēng)
符 號(hào)
SVD2N60M/D
SVD2N60MJ
SVD2N60T
SVD2N60F
單位
芯片對(duì)管殼熱阻
RθJC
3.7
3.57
2.86
5.56
°C/W
芯片對(duì)環(huán)境的熱阻
RθJA
110
110
62.5
120
°C/W