數(shù)據(jù)列表 NTD5867NL
 
產(chǎn)品相片 DPAK_369D?01
 
PCN 過時產(chǎn)品/ EOL Multiple DevICes 05/Apr/2014
 
標準包裝   75
類別 分立半導體產(chǎn)品 
家庭 FET - 單 
系列 -
包裝   管件  
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20A（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 39 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） 15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 675pF @ 25V
功率 - 最大值 36W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝 I-Pak
其它名稱 NTD5867NL-1G-ND
NTD5867NL-1GOS
NTD5867NL1G
 

北京芯聯(lián)科泰電子電子有限公司
 聯(lián)系人：唐先生 QQ:2355647912
手機：010-62529800
本公司承諾免費為客戶提供產(chǎn)品資料選型與技術(shù)解決方案。
歡迎新老客戶來電質(zhì)詢！