JANTXV2N6798介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 MICrosemi Corporation
系列 軍用,MIL-PRF-19500/557
包裝 ? 散裝 ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 5.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 42.07nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 800mW(Ta),25W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 420 毫歐 @ 5.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-205AF(TO-39)
封裝/外殼 TO-205AF 金屬罐
晶體管是一種半導體器件,放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦,手機,和所有其他現代電子電路的基本構建塊。