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STGB30H60DFB

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB30H60DFB
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
10000
ST/意法
N
22+
-
原廠原裝現貨

STGB30H60DFB
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

STGB30H60DFB
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

STGB30H60DFB
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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1

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STGB30H60DFB PDF下載

功能描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
260W
開關能量
383μJ（開），293μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
149nC
25°C 時 Td（開/關）值
37ns/146ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
53ns
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
D2PAK
標準包裝
1

STGB30H60DFB 技術參數

STGB30H60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 260W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關能量:350μJ（開），400μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:105nC 25°C 時 Td（開/關）值:50ns/160ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:110ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB25N40LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:435V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關能量:200μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關能量:200μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復時間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 開關能量:220μJ（開），330μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:100nC 25°C 時 Td（開/關）值:31ns/100ns 測試條件:390V，20A，3.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF STGB6M65DF2 STGB6NC60HD-1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4