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STI18N65M2

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STI18N65M2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6004
ST/意法半導(dǎo)體
TO-262-3
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

STI18N65M2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
TO262
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

STI18N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STI18N65M2
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-220
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STI18N65M2
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條
1

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
12A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
330 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
20nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
770pF @ 100V
功率 - 最大值
110W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝
I2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

STI18N65M2 技術(shù)參數(shù)

STI16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:279 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI150N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI14NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:816pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI13005-1 功能描述:TRANS NPN 400V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 750mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STI23NM60N STI23NM60ND STI24N60M2 STI24NM60N STI24NM65N STI25NM60ND STI260N6F6 STI26NM60N STI270N4F3 STI28N60M2 STI300N4F6 STI30N65M5 STI30NM60N STI32N65M5 STI33N60M2 STI33N65M2 STI34N65M5 STI35N65M5

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