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STI20N60M2-EP

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STI20N60M2-EP 技術(shù)參數(shù)

STI18N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI18N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:770pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:279 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI150N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI14NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:816pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI25NM60ND STI260N6F6 STI26NM60N STI270N4F3 STI28N60M2 STI300N4F6 STI30N65M5 STI30NM60N STI32N65M5 STI33N60M2 STI33N65M2 STI34N65M5 STI35N65M5 STI360N4F6 STI400N4F6 STI40N65M2 STI42N65M5 STI45N10F7

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