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參數資料
| 型號： | W39V080FAT |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 17/35頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FAT |
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W39V080FA
Publication Release Date: Dec. 13, 2005
- 17 -
Revision A5
6.19 Software Product Identification and Boot Block Lockout Detection Acquisition
Flow
Product
Identification
Entry (1)
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 90
to
address 5555
Pause 10 S
Product
Identification
and Boot Block
Lockout Detection
Mode (3)
Read address = 00000
data = DA
Read address = 00001
data = D3
Read address = FFFF2
Check DQ[3:0] of data
outputs
(4)
Product
Identification Exit(6)
Load data 55
to
address 2AAA
Load data F0
to
address 5555
Normal Mode
(5)
(2)
(2)
Load data AA
to
address 5555
Load data AA
to
address 5555
Pause 10 S
Notes
for software product identification/boot block lockout detection:
(1) Data Format: DQ7
DQ0 (Hex); Address Format: A14
A0 (Hex)
(2) A1
A19 = V
IL
; manufacture code is read for A0 = V
IL
; device code is read for A0 = V
IH
.
(3) The device does not remain in identification and boot block lockout detection mode if power down.
(4) The DQ[3:2] to indicate the sectors protect status as below:
DQ2
DQ3
0
64Kbytes Boot Block Unlocked by #TBL
hardware trapping
64Kbytes Boot Block Locked by #TBL
hardware trapping
Whole Chip Unlocked by #WP hardware
trapping Except Boot Block
Whole Chip Locked by #WP hardware trapping
Except Boot Block
1
(5) The device returns to standard operation mode.
(6) Optional 1-write cycle (write F0 (hex.) at XXXX address) can be used to exit the product identification/boot block lockout
detection.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V080FATZ | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W3EG128M72ETSU202AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202JD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W39V080FATZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W3A41A100K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 10pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT1A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 0612 C0G 4CAPS RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 4cap NPO RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101JAT2F | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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