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參數資料
| 型號： | WFP740 |
| 廠商： | Wisdom Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 834K |
| 代理商： | WFP740 |
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
35
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
Note : I
※
D
= 10 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
C
oss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
150
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WFP75N08 | N-Channel MOSFET |
| WFP75N08 | N-Channel MOSFET |
| WFP7N60 | N-Channel MOSFET |
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| WFP840 | N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| WFP830 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| WFP830B | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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