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1N4755A BK

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功能描述
DIODE ZENER 43V 1W DO41
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
43V
容差
±5%
功率 - 最大值
1W
阻抗（最大值）（Zzt）
70 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
5μA @ 32.7V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.2V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
DO-41
標準包裝
2,000

1N4755A BK 技術參數

1N4755A B0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,000 1N4755A A0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 1N4755A 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4755 G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N4754UR-1 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4755AHR0G 1N4755AHR1G 1N4755AP/TR12 1N4755AP/TR8 1N4755APE3/TR12 1N4755APE3/TR8 1N4755A-T 1N4755A-T50A 1N4755A-TAP 1N4755A-TP 1N4755ATR 1N4755A-TR 1N4755AUR 1N4755CE3/TR13 1N4755CP/TR12 1N4755CP/TR8 1N4755CPE3/TR12 1N4755CPE3/TR8

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