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1N4755AE3/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 43V, ? 5% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 43V 5% DO41

1N4755AE3/TR13 技術(shù)參數(shù)

1N4755A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N4755A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4755A TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4755A R1G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4755A R0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4755A-T50A 1N4755A-TAP 1N4755A-TP 1N4755ATR 1N4755A-TR 1N4755AUR 1N4755CE3/TR13 1N4755CP/TR12 1N4755CP/TR8 1N4755CPE3/TR12 1N4755CPE3/TR8 1N4755E3/TR13 1N4755G A0G 1N4755G R0G 1N4755P/TR12 1N4755P/TR8 1N4755PE3/TR12 1N4755PE3/TR8

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