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參數資料
| 型號： | 150GAL12DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 150GAL12DN2 |
3
Nov-24-1997
BSM 150 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
RGon = 5.6
td(on)
-
200
400
ns
Rise time
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
RGon = 5.6
tr
-
100
200
Turn-off delay time
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
RGoff = 5.6
td(off)
-
600
800
Fall time
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
RGoff = 5.6
tf
-
70
100
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
VF
-
1.8
2
-
2.5
V
Reverse recovery time
IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1500 A/s, Tj = 125 °C
trr
-
0.4
-
s
Reverse recovery charge
IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1500 A/s
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
Qrr
-
18
5
-
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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| 150GAST50 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 500pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAT10 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAT25 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
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