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參數資料
| 型號： | 150GAL12DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 150GAL12DN2 |
GAL type
GAR type
PIN 6 and 7
GAL type
only
PIN 4 and 5
GAR type
only
IGBT-Module
IGBT-Modules
%60*$/'1%60*$5'1
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
Update of Drawing Sep-21-98
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 150GT120DN2 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150K(R)SERIES | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150L(R)SERIES | STANDARD RECOVERY DIODES 150A |
| 150K40 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150KR100 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 150GAST10 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAST25 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAST50 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 500pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAT10 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAT25 | 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
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