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參數(shù)資料
| 型號： | 15C01SS |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| 中文描述： | 低頻通用放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 15C01SS |
15C01SS
No.7508-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=10
μ
A, IE=0
IC=1mA, RBE=
∞
IE=10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
20
15
V
V
V
ns
ns
ns
5
30
77
40
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=5V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC=20IB1= --20IB2=500mA
1.0
2
3
5
710
Collector Current, IC -- mA
2
3
5
7100
2
3
5
71000
100
200
300
400
600
500
700
800
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.0
10
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
3
1.0
5
7
100
2
3
5
7
1000
2
3
5
710
Collector Current, IC -- mA
2
3
5
7100
2
3
5
71000
IT05492
IT05493
IT05490
IT05491
0
40
80
120
160
200
20
60
100
140
180
IB=0
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
1A
09m
VCE=2V
VCE=2V
IC / IB=20
T7
°
C
Ta=75
°
C
2
°
C
-5
°
C
--25
°
C
25
°
C
T=75
°
C
-25
°
C
25
°
C
hFE -- IC
IC -- VCE
IC -- VBE
VCE(sat) -- IC
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
D
C
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 15CTQ035 | 20 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 15CTQ040 | 20 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 15CTQ045 | 20 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 15GN01M | VHF to UHF Band High-frequency Switching, Highfrequency General-Purpose Amplifier Applications |
| 15GN03F | VHF High-frequency Amplifier Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 15C01SS_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| 15C01SS-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.6A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 15C02CH | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 15C02CH-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 15C02MH | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
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