產品類型:調制二極管 | 是否進口:是 | 品牌:ST/意法 | 型號:STPS30H100CT | 材料:鍺(Ge) | 封裝:TO-220 | 工作溫度范圍:0（℃） | 功耗:0 | 針腳數:0 | 批號:2013+ | 應用范圍:振蕩
≥100 PCS
￥1.65
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP35CW | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:0
≥10 PCS
￥3.80
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP36CW | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:0
≥1 PCS
￥3.80
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP36C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:0
≥10 PCS
￥3.80
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP35C | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:0
≥30 PCS
￥3.80
品牌:上晶 | 型號:KG100A/1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:低頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:100（A） | 控制極觸發電流:.（mA） | 最大穩定工作電流:.（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）
應用范圍:功率 | 品牌:XC | 型號:BC846 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 擊穿電壓VCBO:80V | 集電極最大允許電流ICM:0.1A | 截止頻率fT:100MHZ
1000-4999 PCS
￥0.20
≥5000 PCS
￥0.10
應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:SS8050 (Y1) 1.5A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:25 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是
≥1000 PCS
￥0.04
應用范圍:功率 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:A1758，2SA1758 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220F | 集電極最大耗散功率PCM:30 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:12 | 極性:PNP型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
類型:其他IC | 品牌:LATTICE/萊迪思 | 型號:ispGDX80A-7T100 | 封裝:標準封裝 | 批號:2011+
應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:3DG408 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 擊穿電壓VCBO:160 | 集電極最大允許電流ICM:0.03 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是
應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:BUK9640-100A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
≥1000 PCS
￥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:IFM/易福門 | 型號:IFA2002-FRKG/V4A/US-100-IRF RT | 材料:金屬 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:單晶 | 線性度:10 | 重復性:1 | 遲滯:10 | 漂移:M12接插件; 鍍金觸點 | 分辨率:100 | 輸出信號:數字型 | 靈敏度:0 | 種類:霍爾 | 防護等級:不銹鋼(303S22); 陶瓷; FPM (Viton) | 制作工藝:集成
品牌:上晶 | 型號:KG100A/1200V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:100（A） | 控制極觸發電流:`（mA） | 最大穩定工作電流:`（A） | 反向重復峰值電壓:1200（V）