應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJ2955 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3鐵帽
≥100 PCS
￥2.50
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP35CW | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:0
≥10 PCS
￥3.80
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP36CW | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:125 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:0
≥1 PCS
￥3.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4310 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 千克
￥5.08
品牌:Rohm/羅姆 | 型號:RSD050N10 TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 包裝:2500PCS/REEL
≥2500 個
￥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR3410 IRLU3410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
￥8.00
應用范圍:功率 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4710PBF | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220
1-10 個
￥6.00
11-99 個
￥4.60
≥100 個
￥4.30
應用范圍:微波 | 品牌:國產 | 型號:2SC4226-SOT323-R25 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:R25，R24，R23 | FT:7.5GHZ | IC:100MA | VCEO:12V
3000-29999 PCS
￥0.14
≥30000 PCS
￥0.13
應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC2713 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:120V | 集電極最大允許電流ICM:0.1A | 截止頻率fT:100MHZ
應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:J380
≥1 個
￥2.00
品牌:上海曙陽 樂清天陽 | 型號:KP100A/1200V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:螺旋形 | 關斷速度:其他 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:低頻 | 功率特性:小功率 | 額定正向平均電流:100（A） | 控制極觸發電流:23（mA） | 最大穩定工作電流:100（A） | 反向重復峰值電壓:1200（V）
5-9 個
￥40.00
≥10 個
￥38.00
應用范圍:功率 | 品牌:LRC/樂山無線 | 型號:L1SS226LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23
≥1 PCS
￥0.07
應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:C2240 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-92
1-9 K
￥105.00
≥10 K
￥100.00
應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP127 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:65 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:0 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP122 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:0
≥50 PCS
￥1.40
品牌:上晶 | 型號:KT100A800V | 控制方式:快速 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:100（A） | 控制極觸發電流:.（mA） | 最大穩定工作電流:.（A） | 反向重復峰值電壓:800（V）
應用范圍:功率 | 品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號:V40100 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 集電極最大耗散功率PCM:* | 集電極最大允許電流ICM:40 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100v
≥1000 PCS
￥1.50
品牌:上晶 | 型號:凹形/3CT/KP100A/1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:低頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:100（A） | 控制極觸發電流:-（mA） | 最大穩定工作電流:-（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）