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應用范圍:達林頓 | 品牌:國產 | 型號:3CG2907 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:12 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:B1 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:25

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N2907 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:625m | 擊穿電壓VCBO:40 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:600m | 截止頻率fT:200 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1 | 備注:參照產品規格書 | 用途:參照產品規格書 | 產品類型:其他 | 是否進口:是 | 主要參數:參照產品規格書 | 加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:TCM829ECT713 MMBT2907ALT1G | 功率:- | 類型:其他IC | 輸入電壓:- | 輸出電壓:- | 批號:11+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:SOT23

應用范圍:開關 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23 | 集電極最大耗散功率PCM:225 | 擊穿電壓VCBO:40 | 集電極最大允許電流ICM:0.6 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G | 類型:仿真器 | 批號:11+ | 封裝:SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:原廠規格 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格

應用范圍:磁敏 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:0 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:ON

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KN2907 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:面接觸型 | 產品類型:TO-92M | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

類型:其他IC | 品牌:KEC | 型號:KTN2907AU | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產品類型:USM | 材料:硅(Si) | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應用范圍:放大

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G | 功率:5 | 類型:其他IC | 批號:09+ | 針腳數:45 | 封裝:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N2222 2N2907 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:40 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:200