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應用范圍:開關 | 品牌:國產正品 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 集電極最大允許電流ICM:0.6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:180

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 集電極最大允許電流ICM:.02 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:200 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N5551/2N5401 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:0.6 | 截止頻率fT:400/300 | 結構:外延型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:160/180

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N5401 2N5551 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/ | 結構:外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:/

應用范圍:功率 | 品牌:KW | 型號:直插 2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 TO-92 | 集電極最大允許電流ICM:0.6 | 截止頻率fT:100 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:正品 | 型號:2N5551-Y | 材料:-- | 封裝形式:標準 | 類型:三極管 | 批號:2014+ | 封裝:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:2N5550，2N5551 TO-92 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應用范圍:放大 | 品牌:RJD | 型號:5551/2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:振蕩 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.8 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:自 | 型號:2N5551 | 材料:硅 | 封裝形式:TO-92 TO-23 | 集電極最大允許電流ICM:0.6 | 截止頻率fT:100-300 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:CJ(長電) | 型號:2N5551 編帶 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:科威 | 型號:【華騰達】三極管 2N5551 TO-92 PNP 科威正品 50只

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:To-92

應用范圍:放大 | 品牌:飛虹 | 型號:2n5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:中高頻放大三極管 2N5551 三極管 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1

應用范圍:振蕩 | 品牌:國產 | 型號:MMBTA42;MMBTA92;2SC945;2N5551;2N5401;2SC12SA733 | 材料:鍺(Ge) | 集電極最大耗散功率PCM:A | 集電極最大允許電流ICM:A | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:A | 結構:平面型 | 封裝材料:玻璃封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:A