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應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 封裝方式:插件三極管

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

類型:其他IC | 品牌:S | 型號:S8550 | 功率:90% | 用途:手機(jī) | 封裝:SOT23 | 批號:最新

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 封裝方式:插件三極管

品牌:長電 | 型號:SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 封裝形式:SOT-23 | 應(yīng)用范圍:MOS

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4229 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4215 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn)原裝 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:CJ | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:S0T-23

類型:其他IC | 品牌:進(jìn)口原裝 | 型號:雙S大電流 三極管 SS8550 50只 TO-92 | 功率:50W | 封裝:DIP/SMD | 批號:2014+

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KTC3544T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.9 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 截止頻率fT:150

類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SD1007 | 功率:120V 0.7A 2W | 用途:儀器 | 封裝:SOT-89 | 批號:2013

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:仙童/長電 | 型號:SS8050 SS8050 Y1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:22

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550 | 封裝形式:TO-92 | SS8550:SS8550

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS850 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1