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- FQA28N50場效應管 TO3P N道三極管 FQA28N50F 500V28A28N50
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥12.00
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- MOS管場效應管FQA28N50F FQA28N50仙童
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品：仙童mos管仙童場效應管
- 10-99
  
  ￥12.00
- ≥100
  
  ￥11.80
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- 場效應管FQA28N50，FQA28N50F
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥9.00
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- FQA28N50F TO-3P 仙童品牌
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F TO-3P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:28A | 跨導:500 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:500 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:28A
- ≥10 個
  
  ￥1.00
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- FAIRCHILDFQA28N50 FQA28N50F
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0
- ≥1 個
  
  ￥8.00
- 詢價
- FQA28N50F
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥2.50
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- 進口FQA28N50F《場效應系列》《儀器，包上機使用》
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥2.00
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- 28N50 FAIRCHILD/仙童fqa28n50f場效應
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:fqa28n50f | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥2.20
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- 場效應管FQA28N50，FQA28N50F
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥0.10
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- 三極管 FQA28N50F FQA28N50
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥2.40
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- FQA28N50F FQA24N50 28A 500V TO-3P MOS管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- 10-99 個
  
  ￥10.00
- ≥100 個
  
  ￥9.30
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- 場效應管 FQA28N50 FQA28N50F 儀器
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 100-999 個
  
  ￥2.20
- 1000-9999 個
  
  ￥2.15
- ≥10000 個
  
  ￥2.10
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- MOS管場效應管FQA28N50F FQA28N50仙童
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產產品： n溝道mos管仙童mos管仙童場效應管
- 10-99 個
  
  ￥12.00
- ≥100 個
  
  ￥11.80
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- FAIRCHILD仙童FQA28N15 FQA28N50F場效應MOS管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N15 FQA28N50F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | N/A:N/A
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- 進口FQA28N50F《場效應系列》《儀器，包上機使用》
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥1.85
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- 三極管 FQA28N50F FQA28N50
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥2.40
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- FQA28N50F 28.4A 500V 0.16歐姆 N-CHANNEL 電源MOSFET三極管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝:TO-3PN
- ≥1 個
  
  ￥0.10
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- N溝道場效應管 FQA28N50 FQA28N50F 仙童
  
  材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號:FQA28N50 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產品:FQA28N50 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝:TO-3P
  
  相產產品： n溝道場效應管仙童場效應管
- ≥1 個
  
  ￥0.10
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- 仙童 FQA28N50F 場效應 TO-3P
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥4.50
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- FQA5N90,FQA28N50F,FQA34N25,FQA35N40
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA5N90，FQA28N50F，FQA34N25，FQA35N40 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥1.00
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