品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥12.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99
￥12.00
≥100
￥11.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥9.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F，F(xiàn)QA28N50 500V/28A/0.126Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
≥450 個(gè)
￥13.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F TO-3P | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:28A | 跨導(dǎo):500 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):500 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:28A
≥10 個(gè)
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0
≥1 個(gè)
￥8.00
產(chǎn)品類型:功率二極管 | 是否進(jìn)口:是 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGA28N50F | 材料:鍺(Ge) | 封裝:TO-3P | 工作溫度范圍:40（℃） | 功耗:28N50 | 針腳數(shù):3 | 批號(hào):2014 | 封裝形式:直插型 | LED封裝:無色散射封裝(W) | 封裝材料:金屬封裝
≥1 PCS
￥15.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F FQA28N50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):fqa28n50f | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
￥2.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥2.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
10-99 個(gè)
￥10.00
≥100 個(gè)
￥9.30
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 封裝:絕緣柵(MOSFET) | 批號(hào):12+
100-999 PCS
￥16.00
≥1000 PCS
￥15.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥1 個(gè)
￥8.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA28N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個(gè)
￥2.20
1000-9999 個(gè)
￥2.15
≥10000 個(gè)
￥2.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):28N50F FQA28N50F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥200 個(gè)
￥3.00