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品牌:TOKO | 型號:TK11230CMCL-G STF130N10F3 STF13N60M2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 場效應管:STF14NM50N STF14NM65N STF15N65M5 STF15N80K5 | 穩壓器:STF15NM60ND STF15NM65N STF16N50U STF16N65M5 | 二三極管 晶體管:STF13N80K5 STF13N95K3 STF13NK50Z STF13NM60N

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:OGFD | 型號:G80N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:600 | 跨導:1 | 開啟電壓:80 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:15

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH23N60UFD，SGH40N60UFD，SGH80N60UFD，SGL160N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP070N06L G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:80A | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:OGFD | 型號:G80N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:CET/華瑞 | 型號:CEP80N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPA057N08N3G，MOS，80V，60A，0.0057Ω，220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:60A | 開啟電壓:3.5 | 夾斷電壓:20

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:-- | 最大漏極電流:GHFD | 開啟電壓:674 | 夾斷電壓:563 | 低頻噪聲系數:G46 | 極間電容:62 | 最大耗散功率:GSR

型號:G80N60UFD | 發貨期限:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:40A | 開啟電壓:6.5 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:2790 | 最大耗散功率:195W | 低頻跨導:原廠規格

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G80N60UFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:10 | 跨導:10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10