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類型:其他IC | 品牌:ON/安森美 | 型號:S9015 | 功率:w | 用途:儀器 | 封裝:SOT-23 | 批號:以實物為準

產品類型:功率二極管 | 是否進口:是 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT5401LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:最大150（℃） | 功耗:1 | 針腳數:3 | 批號:13+

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMUN2233LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片封裝

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJB44H11T4G | 封裝形式:D2-PAK | 功率:80V | 產品類型:其他 | 封裝:D2-PAK

品牌:ON/安森美 | 型號:D44VH10G | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NJW1302G/NJW3281G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P-3

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MA3039-H(TX)+ DTA143TE TL KTA1504S-Y-RTK/P IRLML63 | 材料:鍺(Ge) | 集電極最大耗散功率PCM:貼片/直插三極管 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJF15030G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3 | 集電極最大耗散功率PCM:36 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 截止頻率fT:30

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NJW0281G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:參考規格書 | 集電極最大允許電流ICM:參考規格書 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:參考規格書 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:參考規格書

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NJW21194G NJW21193G | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NJW21193G NJW21194G | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD210T4G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:12.5 | 擊穿電壓VCBO:25 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:65 | 結構:外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJL21196 MJL21195 | 材料:P-FET硅P溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ON/安森美 | 型號:2N3773 | 封裝:TO-3 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJH11019 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:150 | 擊穿電壓VCBO:250 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:65 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝

品牌:ON/安森美 | 型號:2N6028 | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:TO-92 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:小功率 | 反向重復峰值電壓:400V（V）