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應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1213-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 集電極最大允許電流ICM:-2 | 截止頻率fT:120

應用范圍:放大 | 品牌:進口 | 型號:2N3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:22

應用范圍:功率 | 品牌:XC | 型號:BC846 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 擊穿電壓VCBO:80V | 集電極最大允許電流ICM:0.1A | 截止頻率fT:100MHZ

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:3AX25 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:3BG1 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:A1015 | 封裝形式:SOT23

應用范圍:功率 | 品牌:XC | 型號:D880 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 擊穿電壓VCBO:60V | 集電極最大允許電流ICM:3A | 截止頻率fT:1MHZ

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP015N04N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

類型:穩壓IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3320 | 功率:原裝數據 | 用途:儀器 | 封裝:TO-3P | 批號:2013+

類型:通信IC | 品牌:ST | 型號:2SC3320 | 電源電壓:1 | 功率:1 | 頻率:1 | 用途:儀器 | 封裝:TO3P | 批號:11+

應用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SB1026DM | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:-1 | 截止頻率fT:140

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1736 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 集電極最大允許電流ICM:-3 | 截止頻率fT:100

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1735 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 集電極最大允許電流ICM:-1 | 截止頻率fT:100

應用范圍:開關 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1463 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:-1 | 截止頻率fT:400

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8050 S8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO92 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:150

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3CK111 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:A1015/C1815 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO92

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:LM317M | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT252