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應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BU208A | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:DIP | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 用途:NF/音頻(低頻) | 種類:絕緣柵(MOSFET)

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT4403 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:N/A

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS8550D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 擊穿電壓VCBO:40 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:PNP型 | 結構:外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:達林頓 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:108-046F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3

應用范圍:放大 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3998 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3PL

類型:射頻IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2231 | 功率:- | 用途:- | 封裝:TO-252 | 批號:12+

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N5551/2N5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:3DG301 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:XGFP29 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:3AG1 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

類型:其他IC | 品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SD965 | 功率:W | 用途:儀器 | 封裝:SOT-89 | 批號:以實物為準

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:S8550 8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1938 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:13007 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S9012 H | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型，TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BC548 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 功率特性:小功率 | 產品性質:熱銷 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MJE13003 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插TO126

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:78L05 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-89，TO-92