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應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:3CG12 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:B4 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:24

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:3CG11 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:B4 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:24

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:3CG8 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:1

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2SD1710 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AK20 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:35

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ43N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:ZF/中放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 產品類型:其他 | 應用范圍:放大

應用范圍:放大 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:TR150B-1E | 吸合電流:- | 線圈電源:- | 觸點切換電壓:250

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AX83 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AX21 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AK53 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:XGFP5415 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:XGFP29 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AX4 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AX13 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AG29 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:開關 | 品牌:國產 | 型號:3AK32 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:3BX31 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 擊穿電壓VCBO:80 | 集電極最大允許電流ICM:0.03 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否

品牌:APT/上海二工 | 型號:CC1038 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:TO-247 | 封裝:拆機/散新

類型:其他IC | 品牌:APT/上海二工 | 型號:CC1014 | 封裝:拆機/散新 | 批號:TO-247