應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:2SD1710 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是
應用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3AK20 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:35
≥100 PCS
￥4.00
應用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3AX83 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
￥3.50
應用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3AK53 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
￥10.00
應用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3AG29 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
￥10.00
應用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3AK32 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
￥10.00
應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3BX31 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 擊穿電壓VCBO:80 | 集電極最大允許電流ICM:0.03 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
￥3.50
應用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3AK805 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
應用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBT3906 3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):擴散型 | 封裝材料:樹脂封裝
應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3DD176 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:300 | 擊穿電壓VCBO:400 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥10 PCS
￥150.00