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類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SD1411，2SD1411A | 封裝形式:TO-220F | 極性:NPN型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):1SS388 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2837 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:. | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:. | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK4108 | 用途:S/開關(guān) | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:. | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:. | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2Sc4116-Y | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):A1265 | 用途:A/寬頻帶放大 | 跨導(dǎo):* | 最大漏極電流:* | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:* | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK2837 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:TO-3P