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品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MC7805BD2T 7805BD2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號(hào):11年 | 封裝:TO263

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IR2156/IR2153/IR2155 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號(hào):13+ | 封裝:DIP/SMD

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IR2117S/IR2111S | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:標(biāo)準(zhǔn) | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:DIP/SMD

品牌:SANKEN | 型號(hào):A1492 C3856 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:邏輯IC | 批號(hào):2011 | 封裝:TO-3P

品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:SOT23-3

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF3710PBF/IRF1010E | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開(kāi)啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)