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應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP142T | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220-3

品牌:ST/意法 | 型號:BU941ZP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:STW26NM60 | 封裝形式:TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:STW28NM50N | 材料:金屬氧化物 | 封裝形式:TO-247 | 批次:13+

應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:STD10NF10T4 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252

品牌:ST/意法 | 型號:6N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:2SK1221 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:2SK3827 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:STB12NK80Z | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-263 | 屬性:效應管

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUL1203E | 封裝形式:TO-220

品牌:ST/意法 | 型號:STW12NK90Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-247 | 應用范圍:功率

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP122 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 用途:MIN/微型 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:ST/意法 | 型號:TIP32C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大穩定工作電流:請參考規格書 | 極數:三極 | 散熱功能:帶散熱片

品牌:ST/意法 | 型號:STP14NK50Z P14NK50Z | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:ST/意法 | 型號:STB21NM60ND B21NM60ND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 跨導:33 | 最大漏極電流:33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33 | 低頻噪聲系數:3 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:3

品牌:ST/意法 | 型號:BD909 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 功耗:標準 | 工作溫度范圍:標準 | 是否進口:是

品牌:ST/意法 | 型號:STP55NF06/STP65NF06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:ST/意法 | 型號:D20NF06 TO-252 24A60V 20NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:P50NF06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道