品牌:ON/安森美 | 型號:NTD4804NT4G， NVD4804NT4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
￥8.00
品牌:ON/安森美 | 型號:NTD25P03LT4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥10 個
￥8.00
品牌:ON/安森美 | 型號:NTA4153NT1G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
≥3000 千克
￥0.25
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBTA06 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:SOT-23 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
10-999 PCS
￥1.00
≥1000 PCS
￥0.50
品牌:ON/安森美 | 型號:MTB40N10E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥0.60
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD200G | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型
≥50 個
￥1.20