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應用范圍:微波 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC4095 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.035 | 截止頻率fT:10000

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:FN1A3Q-T1B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.1 | 極性:PNP型 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:-50

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/國產(chǎn) | 型號:2SC4177/L6 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323 | 集電極最大耗散功率PCM:150MW | 集電極最大允許電流ICM:100MA | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:60

應用范圍:振蕩 | 品牌:NEC | 型號:2SD560 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC2785 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO92

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC2690A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-126

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:B1261 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:NEC | 型號:FN4L3M | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1413 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1412 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:A1009，2SA1009 | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大耗散功率PCM:15 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:NEC | 型號:GN1F4M | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB624-T1B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.7 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:160 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:25

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:D401，2SD401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:200 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:5 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA812 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.1 | 截止頻率fT:180

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1266 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:D882P正品 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片