加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998C3C | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998P3C E1200 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4990 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998S3 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998C4 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998P3C | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998P4 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4998C3 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:Infineon英飛凌 | 型號:TLE4997E2 | 種類:線性 - 可編程 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:A | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:0.5（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:G | 漂移:0 | 分辨率:0
加工定制:否 | 品牌:英飛凌 | 型號:TLE4997E | 種類:霍爾 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數字型 | 防護等級:1 | 線性度:1（%F.S.） | 遲滯:1（%F.S.） | 重復性:1（%F.S.） | 靈敏度:1 | 漂移:1 | 分辨率:1
類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:TDA5210 TLV4906K TLE6250G TLV4946-2K | 功率:100 | 用途:線性 | 封裝:SC59-3-5 | 批號:12+ | 種類:其他 | 高精度霍爾效應鎖存器:高精度霍爾效應鎖存器