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參數資料
| 型號： | GS816218BGB-150 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-119 |
| 文件頁數： | 31/37頁 |
| 文件大小： | 866K |
| 代理商： | GS816218BGB-150 |
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JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
31/37
2004, GSI Technology
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816218BGB-150I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816218BGB-200 | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816218BGB-200I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816218BGB-250 | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816218BGB-250I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS816218BGB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
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| GS816218BGB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BGB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS816218BGB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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