- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385328 > GS864236GB-200V (GSI TECHNOLOGY) 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS864236GB-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件頁數： | 29/35頁 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864236GB-200V |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
29/35
2004, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics (1.8/2.5 V Version)
Parameter
Symbol
V
ILJ1
V
ILJ2
V
IHJ1
V
IHJ2
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
Max.
0.3 * V
DD1
0.3 * V
DD2
V
DD1
+0.3
V
DD2
+0.3
Unit Notes
1.8 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
1.8 V Test Port Input High Voltage
0.6 * V
DD1
0.6 * V
DD2
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V < Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OLJC
= +100 uA
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
DDQ
/2
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864236GB-250IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864236GB-250V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-167IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-167V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-200IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS864236GB-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864236GB-250M | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS864236GB-250M - Trays |
| GS864236GB-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 2MX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS864236GB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 5.5NS/2.3NS 119FBGA - Trays |
| GS864272C-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 72MBIT 1MX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。