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STHD106M

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STHD106M 技術(shù)參數(shù)

STH80N10F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH6N95K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH410N4F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH410N4F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STHV748QTR STHV800L STHVDAC-253MF3 STHVDAC-253MTGF3 STHVDAC-256MTGF3 STHVDAC-303F6 STHW-690-N STI STI10N62K3 STI10NM60N STI11NM60ND STI11NM80 STI1200B STI1215A STI1215B STI1220A STI1240A STI1260A

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