- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360926 > IRF1405STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF1405STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 131A章一（d）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | IRF1405STRL |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
40
80
120
160
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 32V
VDS= 20V
ID= 75A
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1405STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF1405STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF1405STRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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