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參數(shù)資料
| 型號： | MSC7112VF1000 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 41/56頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | StarCore |
| 類型： | SC1400 內(nèi)核 |
| 接口： | 主機接口，I²C，UART |
| 時鐘速率： | 266MHz |
| 非易失內(nèi)存： | 外部 |
| 芯片上RAM： | 208kB |
| 電壓 - 輸入/輸出： | 3.30V |
| 電壓 - 核心： | 1.20V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 400-LFBGA |
| 供應商設備封裝： | 400-MAPBGA（17x17） |
| 包裝： | 托盤 |
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MSC7112 Low-Cost 16-bit DSP with DDR Controller Data Sheet, Rev. 11
Hardware Design Considerations
Freescale Semiconductor
46
3.2.7
Power Supply Design
One of the most common ways to derive power is to use either a simple fixed or adjustable linear regulator. For the system I/O
voltage supply, a simple fixed 3.3 V supply can be used. However, a separate adjustable linear regulator supply for the core
voltage VDDC should be implemented. For the memory power supply, regulators are available that take care of all DDR power
requirements.
3.3
Estimated Power Usage Calculations
The following equations permit estimated power usage to be calculated for individual design conditions. Overall power is
derived by totaling the power used by each of the major subsystems:
PTOTAL = PCORE + PPERIPHERALS + PDDRIO + PIO + PLEAKAGE
Eqn. 3
This equation combines dynamic and static power. Dynamic power is determined using the generic equation:
C
× V2 × F × 10–3 mW
Eqn. 4
where,
C = load capacitance in pF
V = peak-to-peak voltage swing in V
F = frequency in MHz
3.3.1
Core Power
Estimation of core power is straightforward. It uses the generic dynamic power equation and assumes that the core load
capacitance is 750 pF, core voltage swing is 1.2 V, and the core frequency is 200 MHz or 266 MHz. This yields:
PCORE = 750 pF × (1.2 V)
2
× 200 MHz × 10–3 = 216 mW
Eqn. 5
PCORE = 750 pF × (1.2 V)
2
× 266 MHz × 10–3 = 287 mW
Eqn. 6
This equation allows for adjustments to voltage and frequency if necessary.
Table 30. Recommended Power Supply Ratings
Supply
Symbol
Nominal Voltage
Current Rating
Core
VDDC
1.2 V
1.5 A per device
Memory
VDDM
2.5 V
0.5 A per device
Reference
VREF
1.25 V
10 A per device
I/O
VDDIO
3.3 V
1.0 A per device
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