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參數資料
| 型號： | MTP2N60 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS |
| 中文描述： | 2 A, 600 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | MTP2N60 |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 13. Thermal Response
,
A
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
A
Peak IL = 2 A
VDD = 50 V
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
μ
s
10
μ
s
1 ms
10 ms
dc
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (SECONDS)
D = 0.5
0.2
r
(
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP2N60E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS |
| MTP2P50E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM |
| MTP2P50 | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM |
| MTP3055 | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM |
| MTP3055 | N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTP2N60E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS |
| MTP2P50 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM |
| MTP2P50E | 功能描述:MOSFET 500V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTP2P50E_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts |
| MTP2P50EG | 功能描述:MOSFET 500V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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