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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W39L040 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 512 kX的8的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/27頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | W39L040 |
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W39L040
Publication Release Date: February 10, 2003
- 17 -
Revision A3
AC Characteristics, continued
Read Cycle Timing Parameters
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C or -40 to 85
°
C)
W39L040-70
W39L040-90
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
Read Cycle Time
T
RC
70
-
90
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
70
-
90
nS
Address Access Time
T
AA
-
70
-
90
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
35
-
45
nS
#CE Low to Active Output
T
CLZ
0
-
0
-
nS
#OE Low to Active Output
T
OLZ
0
-
0
-
nS
#CE High to High-Z Output
T
CHZ
-
25
-
25
nS
#OE High to High-Z Output
T
OHZ
-
25
-
25
nS
Output Hold from Address Change
T
OH
0
-
0
-
nS
Write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Address Setup Time
T
AS
0
-
-
nS
Address Hold Time
T
AH
40
-
-
nS
#WE and #CE Setup Time
T
CS
0
-
-
nS
#WE and #CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
#OE High Setup Time
T
OES
0
-
-
nS
#OE High Hold Time
T
OEH
0
-
-
nS
#CE Pulse Width
T
CP
100
-
-
nS
#WE Pulse Width
T
WP
100
-
-
nS
#WE High Width
T
WPH
100
-
-
nS
Data Setup Time
T
DS
40
-
-
nS
Data Hold Time
T
DH
10
-
-
nS
Byte Programming Time
T
BP
-
35
50
μ
S
Chip Erase Cycle Time
T
EC
-
50
100
mS
Sector/Page Erase Cycle Time
T
EP
-
12.5
25
mS
Note: All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is V
IH
and (b) low level signal's reference level is V
IL
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39L040P-70 | 512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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| W39L040P-90 | 512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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