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參數資料
| 型號： | W971632AF |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM(256K x 32位 x 2組同步圖形RAM) |
| 中文描述： | 256K × 32位× 2銀行SGRAM（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數： | 7/55頁 |
| 文件大小： | 2653K |
| 代理商： | W971632AF |
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W971632AF
256K x 32 bit x 2 Banks SGRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 7 -
DC CHARACTERISTICS (V
CC
= 3.3V
±
0.3V, Ta=0
°
~70
°
C)
-7
-8
-10
ITEMS
SYMBOL
MIN.
MAX
MIN.
MAX
MIN.
MAX
UNIT
NOTES
OPERATING CURRENT
t
CK
≥
min, t
RC
≥
min I
OL
=0mA
Active One bank, Precharge
command cycling without
Burst operation
STANDBY CURRENT
t
CK
=15ns
V
IH/L
=V
IH(min)
/V
IL(max)
Bank : inactive state
STANDBY CURRENT
t
CK
=
∞
, CLK
≤
V
IL
,
V
IH/L
=V
IH
(min)/V
IL
(max)
BANK : inactive state
1 bank operation
I
CC1
165
135
115
3
CKE
≥
V
IH
, CS#
≥
V
IH,
I
CC2N
65
55
50
3
CKE
≤
V
IL
(Power Down
mode)
I
CC2P
2
2
2
3
CKE
≥
V
IH
I
CC2NS
15
15
15
CKE
≤
V
IL
(Power Down
mode)
I
CC2PS
2
2
2
mA
CKE
≥
V
IH
, CS#
≥
V
IH,
I
CC3N
70
60
55
NO OPERATING CURRENT
t
CK
=15ns
Bank : active state (1 bank)
CKE
≤
V
IL
(Power Down
mode)
I
CC3P
4
4
4
CKE
≥
V
IH
I
CC3NS
15
15
15
NO OPERATING CURRENT
t
CK
=
∞
, CLK
≤
V
IL
,
Bank : active state (1 bank)
CKE
≤
V
IL
(Power Down
mode)
I
CC3PS
2
2
2
BURST OPERATING CURRENT
t
CK
=min, I
OL
=0mA, CL=3
All bank active
Read / Write command cycling
AUTO REFRESH CURRENT
t
CCD
=min
Auto Refresh command cycling
SELF REFRESH CURRENT
Self Refresh mode
CKE
≤
0.2V
OPERATING CURRENT
t
CK
≥
min, I
OL
=0mA, t
BWL
(min)
I
CC4
170
160
150
3,4
I
CC5
130
120
110
3
I
CC6
1
1
1
I
CC7
90
90
70
ITEM
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
INPUT LEAKAGE CURRENT
( 0V
≤
V
IN
≤
V
CC
, all other pins not under test = 0V )
OUTPUT LEAKAGE CURRENT
( Output disable, 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
Q )
LVTTL OUTPUT
″
H
″
LEVEL VOLTAGE
( I
OUT
= -2mA )
LVTTL OUTPUT
″
L
″
LEVEL VOLTAGE
( I
OUT
= 2mA )
I
IL
-5
5
μ
A
I
OL
-5
5
μ
A
V
OH
2.4
-
V
V
OL
-
0.4
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981208AH | 4M x 8 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981208BH | 4M x 4 BANKS x 8 BIT SDRAM |
| W981208AH-75 | x8 SDRAM |
| W981208AH-8H | x8 SDRAM |
| W981208BH-7 | x8 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
| W971GG6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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