- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363908 > W981216BH (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M x 4 BANKS x 16 BIT SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W981216BH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 2M x 4 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| 中文描述： | 200萬× 4銀行× 16位SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 36/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 2173K |
| 代理商： | W981216BH |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當(dāng)前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
W981216AH
2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 36 -
Autoprecharge timing ( Write Cycle )
Write
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D0
D0
D0
D0
AP
Act
D1
AP
Act
D1
D1
D2
D2
D3
D3
D4
D5
D6
D7
AP
Act
Write
Write
Write
(3) CAS Latency=4
Write
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRAS(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
DQ
DQ
DQ
DQ
( a ) burst length = 1
( b ) burst length = 2
( c ) burst length = 4
( d ) burst length = 8
Command
Command
Command
Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981216AH-75 | x16 SDRAM |
| W981216AH-8H | x16 SDRAM |
| W981616BH | 512K ⅴ 2 BANKS ⅴ 16 BITS SDRAM |
| W981616AH | 512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981616AH-6 | x16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W981216BH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。