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參數資料
| 型號： | W981216BH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 2M x 4 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| 中文描述： | 200萬× 4銀行× 16位SDRAM |
| 文件頁數： | 5/44頁 |
| 文件大小： | 2173K |
| 代理商： | W981216BH |
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W981216AH
2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 5 -
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
ITEM
RATING
UNIT
NOTES
V
IN
,V
OUT
Input, Output Voltage
-0.3~V
CC
+0.3
V
1
V
CC
,V
CC
Q
Power Supply Voltage
-0.3~4.6
V
1
T
OPR
Operating Temperature
0~70
°
C
1
T
STG
Storage Temperature
-55~150
°
C
1
T
SOLDER
Soldering Temperature(10s)
260
°
C
1
P
D
Power Dissipation
1
W
1
I
OUT
Short Circuit Output Current
50
MA
1
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS ( Ta = 0 to 70
°
C
)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
NOTES
V
CC
V
CC
Q
V
IH
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage (for I/O Buffer)
Input High Voltage
3.0
3.0
2.0
3.3
3.3
-
3.6
3.6
V
V
V
2
2
2
V
CC
+0.3
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
-
0.8
V
2
Note:
V
IH
(max) = V
CC
/V
CC
Q+1.2V for pulse width < 5ns
V
IL
(min) = V
SS
/V
SS
Q-1.2V for pulse width < 5ns
CAPACITANCE (V
CC
=3.3V, Af = 1MHz, Ta=25
°
C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
Input Capacitance (A0 to A11, BS0 ,BS1, CS, RAS, CAS, WE, DQM, CKE)
-
4
pf
C
I
Input Capacitance (CLK)
-
4
pf
C
O
Input/Output capacitance
-
6.5
pf
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981216AH-75 | x16 SDRAM |
| W981216AH-8H | x16 SDRAM |
| W981616BH | 512K ⅴ 2 BANKS ⅴ 16 BITS SDRAM |
| W981616AH | 512K x 2 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981616AH-6 | x16 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W981216BH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
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