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1N4753P/TR8

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 36V, ? 10% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 36V 10% DO41

1N4753P/TR8 技術(shù)參數(shù)

1N4753P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4753G R1G 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4753G R0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4753G B0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,000 1N4753G A0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 1N4754A R1G 1N4754A TR 1N4754A_T50A 1N4754A_T50R 1N4754AE3/TR13 1N4754AG 1N4754AHA0G 1N4754AHB0G 1N4754AHR0G 1N4754AHR1G 1N4754AP/TR12 1N4754AP/TR8 1N4754APE3/TR12 1N4754APE3/TR8 1N4754A-T 1N4754A-T50A 1N4754ATA 1N4754A-TAP

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