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1N4754AG

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功能描述
Zener Diode
制造商
microsemi corporation
系列
*
零件狀態(tài)
在售
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

1N4754AG 技術(shù)參數(shù)

1N4754AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4754A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 1N4754A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4754A TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4754A R1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4754A-T50A 1N4754ATA 1N4754A-TAP 1N4754A-TP 1N4754A-TR 1N4754AUR 1N4754CE3/TR13 1N4754CP/TR12 1N4754CP/TR8 1N4754CPE3/TR12 1N4754CPE3/TR8 1N4754E3/TR13 1N4754G A0G 1N4754G R0G 1N4754P/TR12 1N4754P/TR8 1N4754PE3/TR12 1N4754PE3/TR8

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