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1N4754CPE3/TR8

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功能描述
DIODE ZENER 39V 1W DO204AL
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
39V
容差
±2%
功率 - 最大值
1W
阻抗（最大值）（Zzt）
60 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
5μA @ 29.7V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.2V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 150°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AL，DO-41，軸向
供應商器件封裝
DO-204AL（DO-41）
標準包裝
1,500

1N4754CPE3/TR8 技術參數

1N4754CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4754CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4754CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4754CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4754AUR 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4755A 1N4755A A0G 1N4755A B0G 1N4755A BK 1N4755A G 1N4755A R0G 1N4755A R1G 1N4755A TR 1N4755A_T50A 1N4755A_T50R 1N4755AE3/TR13 1N4755AHA0G 1N4755AHB0G 1N4755AHR0G 1N4755AHR1G 1N4755AP/TR12 1N4755AP/TR8 1N4755APE3/TR12