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1N4755A

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功能描述
穩壓二極管 43V 1W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N4755A 技術參數

1N4755 G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N4754UR-1 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4754PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4754PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4754P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4755AE3/TR13 1N4755AHA0G 1N4755AHB0G 1N4755AHR0G 1N4755AHR1G 1N4755AP/TR12 1N4755AP/TR8 1N4755APE3/TR12 1N4755APE3/TR8 1N4755A-T 1N4755A-T50A 1N4755A-TAP 1N4755A-TP 1N4755ATR 1N4755A-TR 1N4755AUR 1N4755CE3/TR13 1N4755CP/TR12