類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP50N06 | 功率:. | 封裝:TO-220 | 批號:13+
≥1 PCS
￥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:MOTOROLA/摩托羅拉 | 型號:MTP50N06EL | 封裝形式:220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型
≥10 PCS
￥1.00
類型:其他IC | 品牌:其它品牌 | 型號:FQP50N06 | 功率:在線咨詢 | 用途:其他 | 封裝:如圖 | 批號:13+
≥1 PCS
￥1.30
應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:STD30NF06LT4 STD1NK60T4 STB6NK90ZT4 STB25NM50N STB | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:dip | 集電極最大耗散功率PCM:貼片/直插三極管 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管
≥1000 PCS
￥3.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPA06N60C3 SGW25N120 IPW60R099C6 IPW60R045CP IPP60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管 | 應用范圍:放大
≥1000 千克
￥1.60
≥1000 PCS
￥0.10
應用范圍:功率 | 品牌:SAMWIN | 型號:SW50N06 | 材料:P | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:P | 集電極最大允許電流ICM:P | 截止頻率fT:P
≥100 PCS
￥2.00
品牌:國產 | 型號:SW50N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
￥0.50
應用范圍:高反壓 | 品牌:Luxeon麗訊 | 型號:2SK2196、2SK2197、2SK2198、2SK2209、2SK2222 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:= | 集電極最大允許電流ICM:= | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:= | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:=
類型:其他IC | 品牌:SEMIHOW | 型號:HFP50N06 | 封裝形式:TO-220 | 極性:NPN型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:高反壓
≥1000 個
￥1.50
≥1 PCS
￥0.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP9N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個
￥1.05
類型:其他IC | 品牌:SEMIHOW | 型號:HFP50N06 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1 | 材料:硅(Si) | 應用范圍:高反壓
≥1000 個
￥2.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP50N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:高反壓
≥1000 個
￥1.30
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:RFP50N06 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 溝道類型:其他 | 加工定制:否
≥50 PCS
￥0.90
≥1 個
￥1.00
品牌:仙童 | 型號:FQP50N06 RFP50N06 50N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥200 個
￥0.30
應用范圍:功率 | 品牌:FDP2532，IRFB4710，IRF9640，IRL3705，IRF3205，IRF1010，I | 型號:FDP2532，IRFB4710，IRF9640，IRL3705，IRF3205，IRF1010，I | 材料:硅(Si) | 封裝形式:220 | 極性:PNP型 | 加工定制:是
≥5000 PCS
￥0.30