品牌:ON/安森美 | 型號:60N02 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO251/252 | 應用范圍:放大
≥1000 PCS
￥0.10
應用范圍:高反壓 | 品牌:Luxeon麗訊 | 型號:2SK2196、2SK2197、2SK2198、2SK2209、2SK2222 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:= | 集電極最大允許電流ICM:= | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:= | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:=
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPA60R385CP | 溝道類型:其他 | 材料:P | 集電極最大耗散功率PCM:P | 擊穿電壓VCBO:PP | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:P | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:P | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應用范圍:功率
≥100 個
￥6.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPA60R199CP | 溝道類型:其他 | 材料:P | 集電極最大耗散功率PCM:P | 擊穿電壓VCBO:P | 封裝形式:TO-220F | 集電極最大允許電流ICM:P | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:P | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應用范圍:功率
≥100 PCS
￥8.30
品牌:ST/意法 | 型號:MTP6N60 SSS6N60A 6N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個
￥0.50
品牌:ST/意法 | 型號:STD6NM60N | 溝道類型:其他 | 材料:P | 集電極最大耗散功率PCM:P | 擊穿電壓VCBO:P | 封裝形式:TO-252 | 集電極最大允許電流ICM:P | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:P | 結構:平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否 | 應用范圍:功率
≥200 PCS
￥4.00
品牌:BYD(比亞迪) | 型號:BF96N60(TO-220F) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道