品牌:ST/意法 | 型號:STP80NF70 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1
≥1000 個
￥1.60
品牌:國產ST | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥1.30
品牌:SILKRON/硅能 | 型號:SSF7509 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數:ID=80A， VDSS=80V， RDS(on)=8 mΩ， PD=150W
1000-4999 個
￥0.25
5000-9999 個
￥0.22
≥10000 個
￥0.20
品牌:進口/臺灣/國產 | 型號:7580 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥1000 千克
￥0.01
品牌:ST/意法 | 型號:STD45NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
￥8.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC2551-O | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:TO92 | 應用范圍:達林頓
≥1 千克
￥0.50
品牌:MAR英國馬可尼 | 型號:75NF75ST | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 千克
￥2.50
品牌:ST/意法 | 型號:STB75NF20 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個
￥2.50
品牌:進口 | 型號:75N75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
￥0.40